ダイオキシン類対策特別措置法に定める特定施設の排出基準は、次のとおりです。
1 排出ガス基準値(単位:ng-TEQ/m3N)
特定施設種類 |
施設規模 |
新設施設
基準 |
既設施設基準
|
(焼却能力) |
平成13年1月~14年11月 |
平成14年12月~ |
廃棄物焼却炉
(火床面積が0.5m2以上、又は焼却能力が50kg/h以上) |
4 t/h以上 |
0.1 |
80 |
1 |
2 ~ 4t/h |
1 |
5 |
2 t/h未満 |
5 |
10 |
製鋼用電気炉 |
0.5 |
20 |
5 |
鉄鋼業焼結施設 |
0.1 |
2 |
1 |
亜鉛回収施設 |
1 |
40 |
10 |
アルミニウム合金製造施設 |
1 |
20 |
5 |
注1)既設施設は、平成12年1月14日以前に設置された炉(設置の工事がされているものを含む)。
2)新設施設は、平成12年1月15日以降に設置された炉。
3)なお、平成9年12月1日以降に工事着手された廃棄物焼却炉(火格子面積が2m2以上、又は焼却能力200 kg/h以上)及び製鋼用電気炉については、上表の新設施設の排出基準が適用されている。
2 排出水基準値 (単位:pg-TEQ/L)
特定施設種類 |
排出基準 |
・硫酸塩パルプ(クラフトパルプ)又は亜硫酸パルプ(サルファイトパルプ)の製造の用に供する塩素又は塩素化合物による漂白施設 |
10 |
・カーバイド法アセチレンの製造の用に供するアセチレン洗浄施設 |
・硫酸カリウムの製造の用に供する施設のうち、廃ガス洗浄施設 |
・アルミナ繊維の製造の用に供する施設のうち、廃ガス洗浄施設 |
・ 担体付き触媒(塩素又は塩素化合物を使用するものに限る。)の製造の用に供する焼成炉から発生するガスを処理する施設のうち、廃ガス洗浄施設 |
・塩化ビニルモノマーの製造の用に供する二塩化エチレン洗浄施設 注1) |
・カプロラクタムの製造(塩化ニトロシルを使用するものに限る。)の用に供する施設のうち、硫酸濃縮施設、シクロヘキサン分離施設及び廃ガス洗浄施設 |
・クロロベンゼン又はジクロロベンゼンの製造の用に供する施設のうち、水洗施設及び廃ガス洗浄施設 |
・ 4-クロロフタル酸水素ナトリウムの製造の用に供する施設のうち、ろ過施設、乾燥施設及び廃ガス洗浄施設 |
・ 2,3-ジクロロ-1,4-ナフトキノンの製造の用に供する施設のうち、ろ過施設及び廃ガス洗浄施設 |
・ジオキサジンバイオレットの製造の用に供する施設のうち、ニトロ化誘導体分離施設及び還元誘導体分離施設、ニトロ化誘導体洗浄施設及び還元誘導体洗浄施設、ジオキサジンバイオレット洗浄施設及び熱風乾燥施設 |
・アルミニウム又はその合金の製造の用に供する焙焼炉、溶解炉又は乾燥炉に係る廃ガス洗浄施設及び湿式集じん施設注1) |
・亜鉛の回収(製鋼の用に供する電気炉から発生するばいじんであって、集じん機により集められたものからの亜鉛の回収に限る。)の用に供する施設のうち、精製施設、廃ガス洗浄施設及び湿式集じん施設 |
・ 担体付き触媒(使用済みのものに限る。)からの金属の回収のように供する施設のうち、ろ過施設、精製施設および廃ガス洗浄施設 |
・廃棄物焼却炉(火床面積0.5 m2以上又は焼却能力50 kg/h以上)に係る廃ガス洗浄施設、湿式集じん施設、汚水又は廃液を排出する灰の貯留施設 注2) |
・廃PCB等又はPCB処理物の分解施設及びPCB汚染物又はPCB処理物の洗浄施設 |
・ フロン類の破壊の用に供する施設のうち、プラズマ反応施設、廃ガス洗浄施設及び湿式集じん施設 |
・下水道終末処理施設(水質基準対象施設に係る汚水又は廃液を含む下水を処理するものに限る) |
・水質基準対象施設を設置する工場又は事業場から排出される水の処理施設 |
※廃棄物の最終処分場の放流水に係る基準は、廃棄物の処理及び清掃に関する法律に基づく維持管理基準を定める命令により10pg-TEQ/L。
※注1及び注2の既設施設は、ダイオキシン類対策特別措置法の施行後3年間(平成15年1月14日まで)暫定基準値(20pg-TEQ/L及び50pg-TEQ/L)が適用されていた。